冀子武课题组在InGaN基蓝光LED的研究中取得新进展

近日，美国期刊《Materials Express》作为封面文章（On the cover），发表了冀子武等人关于InGaN基蓝光LED的最新研究成果（题目：Combined effect of the indium content and wellwidth on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs,Mater. Express7, 523-528 (2017); DOI: https://doi.org/10.1166/mex.2017.1396）。论文前三位作者为永利在读博士研究生吕海燕、李长富和李建飞，冀子武教授为唯一通讯作者，澳门永利入官网app为唯一完成单位。

当前，尽管InGaN基发光器件已经被广泛应用于显示、背光、照明、通信及军事等领域，然而其低效率和短寿命等难题一直未得到有效解决。为此，永利冀子武课题组对具有不同铟含量和阱宽但发光波长近似相同的InGaN/GaN多量子阱基蓝光LED的发光特性进行了详细调查。其研究结果为高性能LED或LD的制备提供了新的思路。

近年来，冀子武课题组在InGaN/GaN多量子阱基LED研究领域已先后在Opt. Express, J. Appl. Phys. , Mater. Express和Sci. Rep.等期刊上发表多项研究成果。相关研究得到了国家重点基础研究发展计划（973），国家自然科学基金重大研究计划及面上基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，山东省科技厅科技发展计划，山东省自然科学基金，国家重点实验室基金，教育部重点实验室基金等项目的支持。

论文链接：

http://chinesesites.library.ingentaconnect.com/content/asp/me/2017/00000007/00000006/art00010

或 http://www.aspbs.com/mex/

相关研究：http://www.osapublishing.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-20-4-3932

http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4820395

http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4827205

https://www.osapublishing.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-25-20-A871

https://www.nature.com/articles/s41598-017-15561-9